与BJT相比,尽管 MOSFET的参数离散性大,m低, 输入失调电压Uo大,输入失调电压的温漂V大, dT 频率特性差,低频噪声大,但MS管输入偏流极 低,输入电阻可高达1012Ω,集成工艺简单,抗辐 射能力强,MOS集成电路密度比双极型的密度高很 多,而功耗却低很多

《模拟电子技术》课程教学资源（PPT课件讲稿）第六章 放大器反馈原理及稳定化基础 6.1.5 判别反馈类型的方法 6.2 负反馈对放大器性能的影响 6.3.1 负反馈放大器的一般分析方法

§ 5.1放大电路频率特性的基本概念 §5.2复频域分析法 §5.3单级放大电路的频率特性

FET的小信号等效模型电路十分简单,由于栅源之间的输入 阻抗很高,无输入电流,故呈开路状态。其漏源之间在恒流区 工作时,也是一个正向受控电流源,输出受Gs控制,为表 示uGs对i的控制能力,通常来表示

第六章放大器反馈原理及稳定化基础 6.1反馈放大器的基本概念 6.2负反馈对放大器性能的影响 6.3负反馈放大器的分析与计算 6.4负反馈对放大器频域和时域特性的影响 6.5负反馈放大器的稳定性 6.6相位补偿原理与技术

3.2 .1 有源负载共射放大电路的分析 3.2.2 有源负载共集电极电路（射随器)

§ 5.1放大电路频率特性的基本概念 §5.2复频域分析法 §5.3单级放大电路的频率特性

右图所示电路,如果设,UA=∞(即忽略基区调宽效应)

4.1.1 JFET的结构及基本工作原理 4.1.2 JFET伏安特性曲线 4.1.3 绝缘栅场效应管

3.4.1 概述 3.4.2 乙类推挽输出级的工作原理 3.4.3 输出功率，管耗和效率的分析计算 3.4.4 达林顿组态