微机与接口技术快慢速度CPU缓存中央处理器外主存存R大容量小存储器系统分级组织结构江荔科技大学江苏科技大学电子信息学院6
江苏科技大学电子信息学院 6 存储器系统分级组织结构 中 央 处 理 器 主 存 外 存 缓存 CPU R 小 容量 大 快 速度 慢
微机与接口技术2存储芯片选择及其接口特性2.1半导体存储器的分类口按工艺分一TTL，双极型存储器一MOS，单极型存储器口按存取方式分类（1）随机存取存储器RAM静态RAM一SRAM，动态RAM一DRAM（2）只读存储器ROMa.掩模ROMb.可编程PROMc.可用紫外线擦除、可编程的EPROMd.可用电擦除、可编程的E2PROM等e.FlashROM等江荔科技大学江苏科技大学电子信息学院
江苏科技大学电子信息学院 7 2 存储芯片选择及其接口特性 ❑按工艺分 – TTL，双极型存储器 – MOS，单极型存储器 2.1 半导体存储器的分类 ❑ 按存取方式分类 （1）随机存取存储器RAM 静态RAM—SRAM，动态RAM—DRAM （2）只读存储器ROM a. 掩模ROM b. 可编程PROM c. 可用紫外线擦除、可编程的EPROM d. 可用电擦除、可编程的E2PROM等 e. FlashROM等
微机与接口技术微机中常用的半导体存储器制造工艺存储器级存取方式电路性能静态RAMRAM动态RAMMOS型主存储器一次成型ROMROM可擦可编ROMRAM双极型静态RAM高速缓冲存储器RAMMOS型静态RAM江荔科技大学江苏科技大学电子信息学院8
江苏科技大学电子信息学院 8 存储器级 制造工艺 存取方式 电路性能 主存储器 MOS型 RAM 静态RAM 动态RAM ROM 一次成型ROM 可擦可编ROM 高速缓冲 存储器 双极型 RAM 静态RAM MOS型 RAM 静态RAM 微机中常用的半导体存储器
微机与接口技术2.2半导体存储器主要性能指标衡量半导体存储器性能的主要指标有：口存储容量】存取时间口功耗口可靠性。江苏科技大学江苏科技大学电子信息学院9
江苏科技大学电子信息学院 9 2.2 半导体存储器主要性能指标 衡量半导体存储器性能的主要指标有： ❑ 存储容量 ❑ 存取时间 ❑ 功耗 ❑ 可靠性
微机接口技术①存储容量，存储容量是指存储器所能存储二进制数码的数量，即所含存储元的总数。例如，某存储芯片的容量为1024×4，即该芯片有1024个存储单元，每个单元4位代码②存取时间，存取时间是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间，有时又称为读写周期③功耗，功耗通常是指每个存储元消耗功率的大小，单位为微瓦/位（uW/位）或者毫瓦/位（mW/位）④可靠性，可靠性一般是指对电磁场及温度变化等的抗干扰能力，一般平均无故障时间为数千小时以上江荔科技大学江苏科技大学电子信息学院10
江苏科技大学电子信息学院 10 ①存储容量，存储容量是指存储器所能存储二进制数码的数 量，即所含存储元的总数。例如，某存储芯片的容量为 1024×4，即该芯片有1024个存储单元，每个单元4位代码。 ②存取时间，存取时间是指从启动一次存储器操作到完成该 操作所经历的时间，有时又称为读写周期。 ③功耗，功耗通常是指每个存储元消耗功率的大小，单位为 微瓦/位（µW/位）或者毫瓦/位（mW/位） ④可靠性，可靠性一般是指对电磁场及温度变化等的抗干扰 能力，一般平均无故障时间为数千小时以上