微机与接口技术Ao~A10Ao~A1027162716A~A102716Ao~A10Ao~Ai0A~A10译码器M访问A1~A15译码器Au~A1s≥1CECECERDM 访问译码器A~A1sM访问≥1OEOERDOECRDDouTDouTDouT(b)(c)(a)Intel2716芯片与CPU的连接方法江荔科技大学江苏科技大学电子信息学院16
江苏科技大学电子信息学院 16 Intel 2716芯片与CPU的连接方法 A0~A10 译 码 器 A11~A15 ≥1 A0~A10 2716 CE M 访问 RD OE DOUT （a） A0~A10 译 码 器 A11~A15 A0~A10 2716 CE OE ≥1 M 访问 RD DOUT （b） A0~A10 译 码 器 A11~A15 A0~A10 2716 CE M 访问 RD OE DOUT （c）
微机与接口技术（3）接口举例(a）要求用2716EPROM芯片为某8位微处理器设计一个16KB的ROM存储器。已知该微处理器地址线为A～A15，数据线为Do～Dz，“允许访存”控制信号为M，读出控制信号为RD。画出EPROM与CPU的连接框图。(b）分析实现(c)江苏科技大学江苏科技大学电子信息学院17
江苏科技大学电子信息学院 17 （3）接口举例 （a）要求 用2716EPROM芯片为某8位微处理器设计一个 16KB的ROM存储器。已知该微处理器地址线 为A0 ～A15，数据线为D0 ～D7， “允许访存” 控制信号为M，读出控制信号为RD。画出 EPROM与CPU的连接框图。 （b）分析 （c）实现
微机与接口技术+5VVpp1+25V0 ~ 0700 ~ 070 ~ 01Do~ D271627162716(1)(8)(2)Ao~Ai0OECEOECEOECEVccPO+5VRDYo系统总线GNDY.2k74LS138A1~A13:2kY,G2AG2B GlMEPROM与CPU连接框图+5V江苏科技大学江苏科技大学电子信息学院18
江苏科技大学电子信息学院 18 74LS138 G2AG2BG1 D0 ~ D7 A0 ~ A10 系统总线 Y0 A11 ~ A13 M O0 ~ O7 2716 (2) OE CE O0 ~ O7 2716 (1) OE CE O0 ~ O7 2716 (8) OE CE +5V +25V VPP VCC +5V GND RD Y1 Y7 +5V . . EPROM与CPU连接框图 2k 2k
微机与接口技术2.5SRAM与CPU的接口口常用的SRAM芯片有：Intel公司生产的2114、2128、6116、6264、62256等□ 容量:1KX4，1KX8，2KX8,8KX8,...512KX8口现以2114芯片为例对SRAM的芯片特性和接口方法进行介绍。江荔科技大学江苏科技大学电子信息学院19
江苏科技大学电子信息学院 19 ❑常用的SRAM芯片有：Intel公司生产的2114、 2128、6116、6264、62256等。 ❑ 容量:1K×4， 1K×8， 2K×8， 8K×8，.512K×8 ❑现以2114芯片为例对SRAM的芯片特性和接口方 法进行介绍。 2.5 SRAM与CPU的接口
微机与接口技术（1）芯片特性Intel2114是一种存储容量为1K×4位，存取时间最大为450ns的SRAM芯片。如下图：A6118Vcc符号引脚名AsA7AAA地址输入Ao~AgAg2114Ag1/0,~1/04数据输入/输出./O1Al片选CS#1/O2A21WE#写允许1/O3CS#VO4Vcc、GND电源、地910GNDWE#江荔科技大学江苏科技大学电子信息学院20
江苏科技大学电子信息学院 20 A5 A0 A2 A1 CS# 1 9 2114 18 10 VCC A9 I/O1 A6 A4 A3 A7 A8 I/O2 I/O3 WE# 符 号 引脚名 A0~A9 地址输入 I/01~I/04 数据输入/输出 CS# 片选 WE# 写允许 VCC、GND 电源、地 （1）芯片特性 Intel 2114是一种存储容量为1K×4位，存取时间最 大为450ns的SRAM芯片。如下图： I/O4 GND