读写存储器RAM速度应用集成度组成单元快低SRAM触发器小容量系统慢高DRAM极间电容大容量系统慢低NVRAM带微型电池小容量非易失
读写存储器RAM 组成单元 速度 集成度 应用 SRAM 触发器 快 低 小容量系统 DRAM 极间电容 慢 高 大容量系统 NVRAM 带微型电池 慢 低 小容量非易失
只读存储器ROM掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改PROM：允许一次编程，此后不可更改EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写FlashMemory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）擦除
只读存储器ROM ◼ 掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改 ◼ PROM：允许一次编程，此后不可更改 ◼ EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程； 并允许用户多次擦除和编程 ◼ EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在 线进行擦除和编程，也可多次擦写 ◼ Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的 EEPROM，但只能按块（Block）擦除
10.2.2半导体存诸器芯片的结构①存储体■存储器芯片的主要部分，用来存储信息②地址译码电路■根据输入的地址编码来选中芯片内某个特定的存储单元③片选和读写控制逻辑■选中存储芯片，控制读写操作
10.2.2 半导体存储器芯片的结构 地 址 寄 存 地 址 译 码 存储体 控制电路 AB 数 据 寄 存 读 写 电 路 DB OE WE CS ① 存储体 ◼ 存储器芯片的主要部分，用来存储信息 ② 地址译码电路 ◼ 根据输入的地址编码来选中芯片内某个特 定的存储单元 ③ 片选和读写控制逻辑 ◼ 选中存储芯片，控制读写操作
存储体每个存储单元具有一个唯一的地址：可存储1位（位片结构）或多位（字片结构）二进制数据■存储容量与地址、数据线个数有关：芯片的存储容量=2M×N示例一存储单元数×存储单元的位数M：芯片的地址线根数N：芯片的数据线根数
① 存储体 ◼ 每个存储单元具有一个唯一的地址， 可存储1位（位片结构）或多位（字片 结构）二进制数据 ◼ 存储容量与地址、数据线个数有关： 芯片的存储容量＝2M×N ＝存储单元数×存储单元的位数 M：芯片的地址线根数 N：芯片的数据线根数 示例
地址译码电路10单译码结构AAAAAA双译码结构译码器■双译码可简化芯片设计64·主要采用的译码结构63单译码双译码
② 地址译码电路 译 码 器 A5 A4 A3 A2 A1 A0 63 0 1 存储单元 64个单元 行 译 码 A2 A1 A0 7 1 0 列译码 A3A4A5 0 1 7 64个单元 单译码 双译码 ◼ 单译码结构 ◼ 双译码结构 ◼ 双译码可简化芯片设计 ◼ 主要采用的译码结构