SRAM2114的写周期TwcTw写入时间从写入命令发出到数据进入存储单元的时间写信号有效时间■Twc写入周期两次写入存储器所允许的最小时间间隔有效地址维持的时间
SRAM 2114的写周期 TWC TWR TAW 数据 地址 TDTW TW DOUT DIN TDW TDH WE CS ◼ TW写入时间 从写入命令发出到数据进入存储单元的时间 写信号有效时间 ◼ TWC写入周期 两次写入存储器所允许的最小时间间隔 有效地址维持的时间
1+5VNC28SRAM芯片62642WE*A12273CS226A74AsA625存储容量为8KX8AA5Ag24All62328个引脚：AOE*722■13根地址线A12～A8AA10219CS1*_8根数据线D～Do20Ai10DAo19片选CS1*、CS2D6Do1118读写WE*、OE*Di12Ds17D413D216D314GND15功能
SRAM芯片6264 ◼ 存储容量为 8 K × 8 ◼ 28 个引脚： ◼ 13根地址线 A12 ～ A 0 ◼ 8根数据线 D 7 ～ D 0 ◼ 片选CS 1 * 、CS 2 ◼ 读写WE* 、OE* 功能 + 5 V WE* CS 2 A 8 A 9 A11 OE* A10 CS 1 * D 7 D 6 D 5 D 4 D 3 NCA12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND 123456789 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15
动态RAM10.3.2DRAM的基本存储单元是单个场效应管及其极间电容必须配备“读出再生放大电路”进行刷新每次同时对一行的存储单元进行刷新每个基本存储单元存储二进制数一位许多个基本存储单元形成行列存储矩阵DRAM一般采用“位结构”存储体：每个存储单元存放一位需要8个存储芯片构成一个字节单元每个字节存储单元具有一个地址
10.3.2 动态RAM ◼ DRAM的基本存储单元是单个场效应管 及其极间电容 ◼ 必须配备“读出再生放大电路”进行刷新 ◼ 每次同时对一行的存储单元进行刷新 ◼ 每个基本存储单元存储二进制数一位 ◼ 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵 ◼ DRAM一般采用“位结构”存储体： ◼ 每个存储单元存放一位 ◼ 需要8个存储芯片构成一个字节单元 ◼ 每个字节存储单元具有一个地址
DRAM芯片4116存储容量为16KX11VBBV16ss2DN16个引脚：CAS*153WE*14DoUT■7根地址线A～ARAS*413A6■1根数据输入线DIN5Ao12A36A211A4■1根数据输出线DoUT7A110As行地址选通RAS*8VDD9Vcc■列地址选通CAS*■读写控制WE*
DRAM芯片4116 ◼ 存储容量为16 K × 1 ◼ 16 个引脚： ◼ 7根地址线 A 6 ～ A 0 ◼ 1根数据输入线 DIN ◼ 1根数据输出线 DOUT ◼ 行地址选通RAS* ◼ 列地址选通CAS* ◼ 读写控制WE* VBB DIN WE* RAS*A0 A2 A1 VDD VSS CAS* DOUT A6 A3 A4 A5 VCC 12345678 16 15 14 13 12 11 109